碳化硅具哪四點性能
本站 2022-01-14
碳化硅是一種人工合成的碳化物，分子式為SiC。通常是由二氧化硅和碳在通電后2000℃以上的高溫下形成的。
抗氧化性
當碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時，在其碳化硅晶體表面開始生成二氧化硅保護層。隨著保護層的加厚，阻止了內部碳化硅繼續被氧化，這使碳化硅有較好的抗氧化性。當溫度達到1900K(1627℃)以上時，二氧化硅保護膜開始被破壞，碳化硅氧化作用加劇，所以1900K是碳化硅在含氧化劑氣氛下的高溫。
電學性質
常溫下工業碳化硅是一種半導體，屬雜質導電性。高純度碳化硅隨著溫度的升高電阻率下降，含雜質碳化硅根據其含雜質不同，導電性能也不同。碳化硅的另一電性質是電致發光性，現已研制出實用器件。
物理機械性能
密度：各種碳化硅晶形的顆粒密度十分接近，一般認為是3.20克/毫米3，其碳化硅磨料的自然堆積密度在1.2--1.6克/毫米3之間，其高低取決于粒度號、粒度組成和顆粒形狀。
硬度：碳化硅的莫氏硬度為9.2，威氏顯微密硬度為3000--3300公斤/毫米2，努普硬度為2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
導熱率：碳化硅制品的導熱率很高，熱膨脹系數較小，抗熱震性很高，是好的耐火材料。
由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點，被用于各種耐磨、耐蝕和耐高溫的機械零部件，是一種新型的工程陶瓷新材料。
抗氧化性
當碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時，在其碳化硅晶體表面開始生成二氧化硅保護層。隨著保護層的加厚，阻止了內部碳化硅繼續被氧化，這使碳化硅有較好的抗氧化性。當溫度達到1900K(1627℃)以上時，二氧化硅保護膜開始被破壞，碳化硅氧化作用加劇，所以1900K是碳化硅在含氧化劑氣氛下的高溫。
電學性質
常溫下工業碳化硅是一種半導體，屬雜質導電性。高純度碳化硅隨著溫度的升高電阻率下降，含雜質碳化硅根據其含雜質不同，導電性能也不同。碳化硅的另一電性質是電致發光性，現已研制出實用器件。
物理機械性能
密度：各種碳化硅晶形的顆粒密度十分接近，一般認為是3.20克/毫米3，其碳化硅磨料的自然堆積密度在1.2--1.6克/毫米3之間，其高低取決于粒度號、粒度組成和顆粒形狀。
硬度：碳化硅的莫氏硬度為9.2，威氏顯微密硬度為3000--3300公斤/毫米2，努普硬度為2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
導熱率：碳化硅制品的導熱率很高，熱膨脹系數較小，抗熱震性很高，是好的耐火材料。
由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點，被用于各種耐磨、耐蝕和耐高溫的機械零部件，是一種新型的工程陶瓷新材料。
